2020年4月13日，湖北武漢發(fā)布全球首款128層QLC存儲芯片！長江存儲最新128層QLC 3D NAND閃存，宣布在武漢光谷研發(fā)成功，這是全球首款128層QLC閃存。目前，該閃存已通過多家知名控制器企業(yè)在固態(tài)硬盤等終端存儲產(chǎn)品上的驗證。3D NAND即三維閃存技術(shù)。過去，人們用到的存儲芯片是平面的，相當于地面停車場，而三維閃存芯片是立體的，就像是立體停車場。同樣的“占地面積”之下，立體芯片能夠容納更多倍數(shù)據(jù)量。

盡管這顆存儲芯片不到芝麻大小，卻內(nèi)藏乾坤，擁有3665億個“細胞”——存儲單元。QLC是繼TLC后，三維閃存新的技術(shù)形態(tài)，具有大容量，高密度等特點，適合于讀密集型應(yīng)用。TLC的每個“存儲細胞”可存3bit數(shù)據(jù)，而QLC的每個“細胞”能存4bit數(shù)據(jù)。這些“存儲細胞”加起來，能讓一顆芯片的存儲容量達到驚人的1.33Tb，相當于1362Gb。

得益于“存儲細胞”的不斷擴容，以及這些“細胞”之間獨特的Xtacking架構(gòu)布局，此次先于業(yè)界發(fā)布的128層閃存芯片“X2-6070”，擁有業(yè)界最高的存儲密度、傳輸速度和單顆閃存芯片容量。2018年底，長江存儲第一代32層三維閃存芯片量產(chǎn)。2019年9月，首次基于Xtacking架構(gòu)的64層三維閃存芯片量產(chǎn)。隨著自主Xtacking架構(gòu)全面升級至2.0，進一步釋放了三維閃存的潛能，128層QLC閃存芯片才得以快速突破。

“從64層量產(chǎn)至128層研發(fā)成功，僅相隔了7個月，還有一半時間是在疫情之中。”長江存儲首席執(zhí)行官楊士寧表示，作為閃存行業(yè)的新進入者，長江存儲用短短3年時間，將中國的三維存儲芯片推向了128層高度?！斑@是數(shù)千名研發(fā)人員汗水的凝聚，也是全產(chǎn)業(yè)上下游通力協(xié)作的成果?！?/p>

全球知名閃存和固態(tài)硬盤領(lǐng)域市場研究公司認為，QLC技術(shù)降低了NAND閃存單位字節(jié)的成本，更適合作為大容量存儲介質(zhì)。128層QLC閃存將率先在大容量U盤，閃存卡和固態(tài)硬盤中普及，并將為服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心帶來更低的讀延遲，廣泛用于AI計算、機器學(xué)習、實時分析和大數(shù)據(jù)中的讀取密集型應(yīng)用。

此芯片的發(fā)布，將會帶來儲存世界的重大革命！